2022慕尼黑华南电子展，蓉矽半导体圆满收官！

2022慕尼黑华南电子展（以下简称“慕尼黑展”或“展会”）于11月15日正式开展，展会已于17日圆满闭幕。本届慕尼黑展汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等丰富内容。

展出期间，OFweek维科网·电子工程直播采访了成都蓉矽半导体有限公司（以下简称“蓉矽半导体”）总经理戴茂州先生，他详细为我们介绍了蓉矽半导体的核心优势、产品开发理念和技术亮点。

成都蓉矽半导体有限公司 （NOVUS SEMICONDUCTORS CO．， LTD．） 成立于2019年，是一家专注于碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业。蓉矽半导体拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合了台湾与欧洲的先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案建立了完整的供应链，并根据不同的应用场景推出了高性价比的NovuSiC?系列产品和高可靠性的DuraSiC?系列产品。

惊艳亮相慕尼黑电子展

蓉矽半导体向OFweek维科网·电子工程重点介绍了以下三款产品。

首先是1200V、20A NovuSiC® EJBS™碳化硅二极管。这款产品针对光伏应用场景设计，通过创新性器件结构与工艺的完美结合赋予了JBS结构器件可媲美MPS结构的高抗浪涌电流能力（11倍以上），可承受288W功率，最大26A电流。

接下来是MCR®硅基理想二极管。这是蓉矽半导体从电子科技大学技术引进的专利技术，具有高抗浪涌电流能力（30倍）、高结温性能稳定（175℃）、低导通压降（低至0．8V）和高击穿电压（高达300V）等优越特性。

OFweek维科网·电子工程了解到，这可以说是一款没有短板的二极管，特别适合需要低漏电、低损耗的应用。

最后是1200V／75mΩ NovuSiC® 碳化硅MOSFET，它的动态性能达到了国际水平，短路耐受时间＞3μs，V（GS）＝18V时，Ron，sp＝4．17mΩ．cm2，各项指标全国领先。据戴总介绍，蓉矽半导体即将在年底进行MOSFET G2的首次流片，可实现当今国际最先进的产品性能。

为华南市场提供全面的解决方案

OFweek维科网·电子工程向戴总了解到，华南地区是蓉矽半导体业务推广的重点区域，公司在华南市场为光伏、储能、充电桩、OBC等应用提供全面的解决方案。在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽MCR®器件可降低18．7％的损耗和13℃的器件结温。在20kW直流充电模块中，相较硅基器件，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50％；降低总损耗50％以上；提升效率约2％，峰值可达97％以上。

采访中，戴总也谈及自己下对华南电子行业趋势和发展方向的看法。他表示，华南地区拥有国内最大的半导体及集成电路应用市场，供应链保障能力和现代化水平位居国内前列。蓉矽半导体拥有全供应链IATF 16949认证和极富经验的国际化团队，在理想硅基二极管MCR、碳化硅二极管EJBS®和碳化硅MOSFET的研发过程中精益求精，产品各项性能指标一骑绝尘。蓉矽半导体将继续以行业最高标准为基础，为华南市场提供品质过硬的产品，推动该地区电子行业可持续发展。

据悉，蓉矽半导体已经设立了华南地区办事处，正在筹备应用支持中心，以立足当地市场研发针对性产品和方案，提供应用技术指导，为客户提供“同等价位条件下性能最优、同等性能条件下价格最优”的“双优”服务。

戴总谈此次慕尼黑展会感受

开展三天以来，蓉矽半导体展台吸引了众多硬科技从业者和产业界人士驻足观看、询问交流。