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国产芯片在新基建浪潮下如何蓄力

2020-09-10 15:38 来源: https://gongkong.ofweek.com/

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导读: 在万亿级规模的新基建浪潮下,国产芯片将迎来哪些新机遇?如何在新基建浪潮下蓄力?

新基建浪潮下国产芯片的新机遇

2020年,以5G、数据中心建设为代表的“新基建”主题将贯穿全年,其余围绕“新基建”展开的IDC、光模块、物联网、工业互联网等细分领域都将保持高增长。

统计数据显示,2019年我国处理器及控制器进口金额1423亿美元,同比增长12.8%。我国处理器特别是高端处理器仍然依赖进口。有观点认为,国产高端芯片提供商更应借助新基建的东风,通过自主创新提升产品性能,力争在新基建领域构建国产自主、面向全球市场的计算生态。

万亿新基建浪潮下,与已经有成熟生态的传统芯片相比,新基建中的5G、AI和智能计算等新一代高端芯片属于新赛道,需要构建全新生态,这给国内的芯片公司带来了绝佳机遇。

在新基建政策的引导之下,我们迎来的将是一个万物智联的时代。海量产品的接入,需要大量传感器做感知,需要人工智能的视觉、语音芯片做反馈、做计算、做处理。意味着芯片的市场需求量急速扩张,国内芯片市场将是一片蓝海。

面对绝佳机遇,国产芯片如何蓄力

从整体来看,目前5G基带芯片可大致分为两种。第一种支持6GHz以下频段和毫米波,第二种是5G基带芯片只支持6GHz以下频段。高通、英特尔、三星、华为旗下的海思生产的芯片支持第一种。联发科、紫光展讯等生产的芯片支持第二种。

5G三大场景定义万物互联时代:增强型移动宽带(eMBB)、海量物联网(mMTCL)、高可靠低时延(uRLLC)。其中eMBB相当于3G-4G网络速率的变化,而mMTCL和uRLLC是针对行业推出的全新场景,推动科技由移动物联网时代向万物互联时代转变。

5G基带芯片需要同时兼容2G/3G/4G网络, 5G无线电接入架构由LTEEvolution和新无线电接入技术、 NR组成,研发难度提高。同时要能够满足eMBB、 mMTCL、uRLLC,意味着基带芯片需要有更大的弹性支持不同的5G规格,达到5G高吞吐量的要求。这也意味着5G基带芯片设计难度提升。

基带芯片本身就存在研发周期长、技术门槛高、资金投入大、市场竞争激烈的难题,在新基建浪潮下,5G基带芯片的设计难度较此前更上一个台阶,要制造出智能、轻薄、体积小的AI芯片需要更大的投入。

国产芯片企业想要搭载新基建的政策顺风车,实现国产芯片自给自足,就在要新基建的浪潮下,夯实技术研发软实力,攻克核心技术和关键材料,针对目标市场快速反应,拿出适用应用场景的产品,加快产品的更新迭代速度以更好地适应各行业发展的实际需要。

在技术创新和产品落地之外,更要做好软硬协同,建立一个强大的生态进行支撑,这或许是国产芯片在新基建浪潮下实现自主可控行得通的路径。

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