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4Tbps! 英特尔开发出双向全集成光计算互连芯片

2024-05-20 16:52 来源: OFweek激光网

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导读: 近日,英特尔凭借其内部硅光子学技术的卓越实力,成功研发出了一款革命性的4Tbps双向全集成光计算互连(OCI)芯片。

近日,英特尔凭借其内部硅光子学技术的卓越实力,成功研发出了一款革命性的4Tbps双向全集成光计算互连(OCI)芯片。

这款芯片不仅解决了人工智能基础设施对带宽的巨大需求,更为未来的可扩展性奠定了坚实基础。

独特优势,多个部件完美融合

据悉,这款OCI芯片集硅光子集成电路(PIC)、射频通硅过孔(TSV)的电子IC以及可拆卸/可重复使用的光学连接器路径于一身。

其独特的设计,使得它能够与下一代CPU、GPU、IPU以及其他高带宽需求的片上系统(SOC)应用完美融合,共同构建一个高效、稳定的数据传输网络。

英特尔表示,这一重大突破为提供多太比特的光连接铺平了道路。与PCIe Gen6相比,OCI芯片的海岸线密度(由模块安装间距决定)提高了4倍以上,能源效率更是低于3PJ/Tit,延迟小于10ns (+TOF),传输距离更是超过了100米。这一系列优势,使得OCI芯片在数据传输领域具有无可比拟的性能表现。

值得一提的是,英特尔首个OCI的实现便是一个与PCIe Gen5兼容的4Tbps双向芯片。它能够在10米以上的距离上支持64条32Gbps的数据传输,实现了8对光纤的并行工作,每对光纤携带8个DWDM波长。而该平台的长远目标更是高达32Tbps的小芯片,展现出令人瞩目的发展潜力。

支持高达8Tbps的双向应用

此外,当前模堆中的单个PIC能够支持高达8Tbps的双向应用,其通过集成DWDM激光阵列和光放大器实现了完整的光子子系统。

这种设计,不仅提供了比传统InP激光器更高的可靠性数量级,还使得硅光子学芯片在晶圆级制造、老化和测试方面实现了真正的突破。这一突破,进一步转化为子系统级的简单性和可靠性提升,以及制造效率的显著提高。

采用广泛部署的标准单模光纤

更令人欣喜的是,英特尔的OCI芯片采用了广泛部署的标准单模光纤(SMF-28),而不是市场上其他技术方法所需的偏振保持光纤(PMF)。

由于系统振动和纤维摆动会对PMF的性能和链路预算产生负面影响,因此很少在实际应用中部署。而这款OCI芯片的使用,无疑为数据传输带来了更广泛的适用性和更高的稳定性。

近期,英特尔已重点推出展示其第一代OCI芯片与通过光纤实时运行数据的概念英特尔CPU共封装模块。这一展示,将向全球观众展示英特尔在光计算领域的领先实力和创新成果。

相信未来OCI芯片将在人工智能基础设施领域发挥更加重要的作用,引领整个行业迈向新的发展阶段。

制芯“利器”:全球最先进EUV光刻系统

值得注意的是,近期,英特尔代工厂在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地还完成了业界首台商用高数值孔径(NA)极紫外(EUV)光刻扫描仪的组装,这是先进半导体制造领域的一个重要里程碑。

英特尔公司表示,该机器通过改变用于将打印图像投影到硅晶圆上的光学设计,极大地提高了下一代芯片的分辨率和功能扩展。

高数值孔径(NA) EUV设备,将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。英特尔晶圆代工厂是业界在高NA EUV领域的先行者,将能够在芯片制造中提供前所未有的精度和可扩展性,使公司能够开发具有最具创新性特征和功能的芯片,这对推动人工智能和其他新兴技术的进步至关重要,预计对集成光计算互连芯片等相关领域的进展也将产生一定的助力。

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